余静赣和于敏什么关系:二极管和电解器有什么区别?还有价格

晶体二极管
crystal diode
固态电子器件中的半导体两端器件。起源于19世纪末发现的点接触二极管效应，发展于20世纪30年代，主要特征是具有单向导电性，即整流特性。利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，可制成不同类型的二极管，用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。例如稳压二极管可在电源电路中提供固定偏压和进行过压保护；雪崩二极管作为固体微波功率源，用于小型固体发射机中的发射源；半导体光电二极管能实现光-电能量的转换，可用来探测光辐射信号；半导体发光二极管能实现电-光能量的转换，可用作指示灯、文字-数字显示、光耦合器件、光通信系统光源等；肖特基二极管可用于微波电路中的混频、检波、调制、超高速开关、倍频和低噪声参量放大等。
隧道二极管
tunnel diode

基于重掺杂PN结隧道效应而制成的半导体两端器件。隧道效应是1958年由日本江崎珍於奈在研究重掺杂锗PN结时发现的，故隧道二极管又称江崎二极管。这一发现揭示了固体中电子隧道效应的物理原理，江崎为此而获得诺贝尔物理学奖 。其主要特点是它的正向电流-电压特性具有负阻 ，因此开关速度达皮秒量级 ，工作频率高达100吉赫 。此外，还具有小功耗、低噪声等特点。可用于微波混频、检波，低噪声放大、振荡等。由于功耗小，所以适用于卫星微波设备。还可用于超高速开关逻辑电路、触发器和存储器等。
微波二极管
microwave diode
工作在微波频段的二极管。属于固体微波器件。微波波段通常指频率从300兆赫到3000吉赫。19世纪末发现了点接触二极管效应后，相继出现了PIN二极管、变容二极管、肖特基二极管、隧道二极管、耿氏二极管等微波二极管。微波二极管的基片材料由锗、硅发展到砷化镓，使微波二极管工作频率不断提高，目前最高频率已达300吉赫。微波二极管具有体积小和可靠性高等优点，用于微波振荡、放大、变频、开关、移相和调制等方面。
肖特基二极管
Schottky diode

利用肖特基结制作的晶体二极管。肖特基结是一种简单的金属与半导体的交界面，与PN结（见固态电子器件）相似，具有非线性阻抗特性（整流特性），其理论模型由德国的W.肖特基于1938年提出。与PN结型晶体二极管相比，肖特基二极管的开启电压低，电荷储存效应小，适于高频工作。还具有损耗小、噪声低、检波灵敏度高、稳定可靠等特点，在微波通信和雷达中用于混频、检波、调制、倍频以及超高速开关、低噪声放大等。

2极管分为，发光二极管和二极管，他们都是单向导电的东西，电解器是用来分解水的组成的东西（13~30元不等）而二极管很便宜。

名字不同