梁平区委书记:有谁知道内存颗粒编号HYMP564S64BP6-C4 的具体含义?

HY是现代的意思,这个内存是512M的,其他你自己用下面的方法套

HYMP564S64BP6-C4

HY XX X XX XX XX X X X X X XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

1、HY代表是现代的产品

2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；

3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V

4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref

5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系

7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2

8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新

9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片

10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A

现代内存颗粒 编码规则

现代内存颗粒编码规则
h+zd#F'mz$c k$^ _ KpLd
HY的DDR颗粒 ：
v"U0[~P2|)Mh P?H9YA
qk\\?+ZI
?HY XX X XX XX X X X X X-XX
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U)T E(^L$^x:u{R ? 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
5|,Wj-vQjn*M 0m_ g*m"}t2z{A6V
??1.HYNIX制造：现代的内存颗粒生产厂商。
TF7I1Q$]/g ]VgxM ?:^
??2.颗粒种类：5D表示DDR SDRAM。
g{5y p R
V
M`(k(_/C? ??3.制造工艺和工作电压：V表示CMOS工艺、3.3V工作电压；U表示CMOS工艺、2.5V工作电压。
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0R*_xB&r ??4.颗粒密度和刷新速度。
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2EX^ E:Emo ??5.颗粒数据位宽：有4-4bit、8-8bit、16-16bit、32-32bit(厂商在表示容量用到芯片位宽时通常以×4、×8等来表示而省略了bit)。 /~Fp[hj/I&hh0P

'J(D4k ho_+cwx+t ??6.颗粒内部逻辑Bank数量：1表示两个逻辑Bank，2表示4个逻辑Bank。 w+nj#Yp

7s1m2z+Qy^ ??7.界面类型：1-SSTL_3、2-SSTL_2。
7Y)w X:h"S R7a$_7dJ
"D*E,{t{0U4cN ??8.颗粒版本：空白-第一代、A-第二代、B-第三代、C-第四代。 w |+F,e:r bOM,v&O
k K*y y9\v @_[
??9.耗电量：空白表示标准耗电量、L表示低耗电量。
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`"DI R!TI | lW)Kj
??10.颗粒封装形式：有T-TSOP、Q-TQFP、L-CSP(LF_CSP)、F-FBGA等几种。 WS"rz3z
k`mv3S
n$r#LYL8lD9}
??11.速度：33-300MHz、4-250MHz、43-233MHz、45-222MHz、5-200MHz、55-183MHz、6-166MHz(均为时钟频率，实际频率应乘以2，上述颗粒多用于显卡的显存)、K-DDR266A(133MHz@CL=2)、H-DDR266B(133MHz@CL=2.5、125MHz@CL=2)、L-DDR200(125MHz@CL=2.5，100MHz@CL=2)。

HYMP564S64BP6-C4
现代颗粒