济南奔驰smat:内存的相关知识,SD和DDR有什么区别?

来源:百度文库 编辑:神马品牌网 时间:2024/05/05 23:51:11

内存的分类
在DRAM发展的过程中,先后出现了许多种内存。
1、FPM DRAM a
FPM DRAM的全称应该是Fast Page Mode DRAM,即快页内存。快页内存的刷新速度最高可以达到每秒600次,这对于早期286、386时代的应用软件需求来说已经足够了。快页内存为72线,5V电压,带宽为32bit,速度基本都在60ns以上,一般只能工作在5-3-3-3 66MHz下,其原因就是由于FPM采用的是同一电路来读取内存中的数据,因此,当FPM读取的时候就会产生一定的间隔,因此就限制了它读写速度的提高。FPM的存储地址是按照页的顺序排列的,在访问内存中的某页时会占用额外的CPU时钟周期,造成系统闲置。由于这种种不足,FPM很快就被EDO内存所代替了,目前在市场上已经很难在寻觅到它的踪影。
2、EDO DRAM a
EDO DRAM(Extended Data Out DRAM)的中文名称是扩展数据输出内存。EDO内存有72线和168线之分,采用5V电压,外部带宽为32bit。同FPM相比,EDO的速度可以快15%以上,速度通常在40ns以上。EDO内存取消了扩展数据输出内存与传输数据的两个时钟周期之间的间隔,因此当系统将数据发送到内存的时候,速度得到了进一步的提升。EDO内部设置了一个逻辑电路,凭借此电路,它可以在内存数据读取结束前将下一个数据读入内存,这在实际使用中的作用非常明显。EDO内存可以运行在75MHz甚至更高的频率下,其标准的工作频率为5-2-2-2 66MHz。虽然目前EDO内存已经渐渐被市场所淘汰,但在一些486以及早期586机器上仍然可以看见它们的身影。要注意的是,由于奔腾及其以上级别的数据总线宽度都是64bit的,所以在使用中EDO DRAM与FPM DRAM都必须双条用,所以,在购买这类内存的时候要成对购买。EDO内存还被广泛应用在TNT系列以前的显示卡上。3dfx公司著名的Voodoo/Voodoo2显卡采用的就是EDO显存。
3、SDRAM
SDRAM(Synchronous DRAM)的中文名称是同步动态存储器,顾名思义,它是工作在与系统始终相同的频率下的。SDRAM是目前大部分的个人电脑所使用的内存。SDRAM内存对于数据的访问采用突发(Burst)模式,从而得到更高的速度。SDRAM都是168线的带宽64bit,并采用3.3 V电压。让我们来看看SDRAM是如何工作的。众所周知,我们所使用的DRAM存储器,其技术都是建立在异步控制基础上的,当系统使用这些异步DRAM的时候,它需要插入一些等待状态来适应异步DRAM本身的速度需要,此时,指令的执行速度由内存的速度直接控制,而与系统本身的频率没有任何干系。举个简单的例子,当速度为60纳秒的快页内存读取数据的时候,它需要40纳秒的时间来进行循环,此时,假设系统的工作频率为100MHz,每执行一次数据的存储,就需要等待4个时钟周期(一个时钟周期的大小为10纳秒),这很显然导致了CPU的闲置,造成了系统浪费。当采用同步存储后,这一循环过程就可以被避免,同时,SDRAM还可以在同一个时钟周期内打开两个DRAM地址,这就允许系统在读写一个内存地址时对下一个地址进行预置,因此,SDRAM的速度基本上与系统时钟频率同步。因此,SDRAM的通常工作频率可以达到5-1-1-1,更快的可以达到4-1-1-1的速度。此外,SDRAM是目前显示卡上应用最广泛的显存之一,我们所使用的Voodoo 3,TNT系列以及部分GeForce256显示卡都使用的是SDRAM显存。目前市场所卖的SDRAM大多为不带ECC奇偶校验的产品,不带ECC的内存对于家庭使用来说与ECC内存基本没有区别,而服务器对于系统的稳定性要求很高:不允许数据出错,通常会使用价格较贵的ECC奇偶校验内存。在购买内存的时候您也许会发现,有些品牌的内存PCB板上最中间的那个位置是空的,这就是为ECC纠错芯片所留的位置。通常情况下,带有ECC的内存价格较不带ECC的要贵许多,因此在购买的时候要防范不法商贩以次充好。
随着SDRAM技术的不断发展,先后出现了PC66(66MHz),PC100以及PC133的内存,Micron还将在近期内推出PC150内存。由于100MHz外频的主板在市场上的占有率不断扩大,最早的PC66内存由于无法在100MHz外频下稳定工作,已经逐渐被淘汰,PC100和PC133内存渐渐成为市场的主流。PC133内存标准是由台湾威盛公司指制定的内存标准。目前市场上所卖的PC133内存,质量较好的当数胜创科技的KingMax内存。KingMax一向以高品质著称,而且它所采用的先进的TinyBGA封装方式,有别于目前其它PC100内存(采用TSOP封装)。采用TinyBGA封装的内存大小是TSOP封装内存的三分之一,也就是说,同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍。此外,TinyBGA封装内存不但体积小,同时也更薄,其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm,大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性,同时其线路阻抗大大减小,芯片速度也随之得到大幅度的提高。PC133内存由于工作在133MHz的频率下,所以带宽较PC100内存提高了将近30%,由于制造PC133内存并不需要对原有的PC100内存生产线进行很大的调整,因此,像现代电子、三星、胜创科技以及Micron都推出了PC133内存。质量较好的PC100内存有些也可以以CL=2工作在133MHz的频率下,且性能与真正的PC133内存相差无几,所以,购买质量优秀的PC100内存也不失为一个好注意。由于PC133标准没有明确指出符合PC133标准的内存必须以CL=2工作在133MHz频率下,所以目前市场上许多PC133内存都是以质量好的PC100内存remark来的,购买的时候您一定要瞪大了眼睛仔细辨认,以免上当。

简单的说SD内存已经淘汰了,是老早的,市面上已经不多了,用于老式机器,现在都用DDR的~~~

DDR是Double Data Rate的缩写(双倍数据速率),DDR SDRAM内存技术是从几年前主流的PC66,PC100,PC133 SDRAM技术发展而来。它在工作的时候通过时钟频率的上行和下行都可以传输数据(SDRAM只能通过下行传输),因此在频率相等的情况下拥有双倍于SDRAM的带宽。另外DDR内存的DIMM是184pins,而SDRAM则是168pins。因此,DDR内存不向后兼容SDRAM。

传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输,而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输,所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量,这也是DDR的意义——Double Data Rate,双倍数据速率。举例来说,DDR266标准的DDR SDRAM能提供2.1GB/s的内存带宽,而传统的PC133 SDRAM却只能提供1.06GB/s的内存带宽。

一般的内存条会注明CL值,此数值越低表明内存的数据读取周期越短,性能也就越好,DDR SDRAM的CL常见值一般为2和2.5两种。

SD内存中间是两个插槽,DDR内存中间是一个插槽。
SD内存用于810,815系列主板,DDR内存用于845以上主板 。

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