我的世界say格式:单双面内存有什么区别?

单、双面内存的区别 一般而言，单面内存每条拥有一组BANK，而双面的内存则每条提供了两组的BANK，之所以要强调一般而言我会在文中加以阐明。……什么？不知道BANK为何物？好！那我就来解释一下BANK先。 内存的BANK其实分为两部分，逻辑BANK和物理BANK。

先来讲讲逻辑BANK。芯片的内部，内存的数据是以位（bit）为单位写入一张大的矩阵中，每个单元格我们称为CELL，只要指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地定位到某个CELL，这就是内存芯片寻址的基本原理。这样的一个阵列我们就叫它内存的逻辑BANK（Logical BANK）。

再来说说物理BANK。通常主板上的每个内存插槽分为两段，这个大家从VIA主板BIOS设置中的BANK 0/1 DRAM Timing选项很容易推理得到，实际上也就是两个BANK，不过这里的BANK概念与我们前面分析芯片内部结构时提到的BANK可不一样。

简单地说这个BANK就是内存和主板上的北桥芯片之间用来交换数据的通道，目前以SDRAM系统为例，CPU与内存之间（就是CPU到DIMM槽）的接口位宽是64bit，也就意味着CPU一次会向内存发送或从内存读取64bit的数据，那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条BANK，很多厂家的产品说明里称之为物理BANK（Physical BANK）。

目前绝大多数的芯片组都只能支持一根内存包含两个物理BANK，但是针对某个具体的条子，很多人想当然，认为每个DIMM插槽使用内存条的面数来区分占用几个BANK通道，单面的只占用一个物理BANK，而双面的则需占用两个物理BANK。实际上物理BANK与面数是无关的，PCB电路可以设计成双面和单面，也可把全部芯片（16颗）放在一面上（至少从理论上是完全可能）。

有些内存条单面就是一个物理BANK，但有些双面才是一个物理BANK，所以不能一概而论。256MB内存条就是一个典型的例子，虽然是双面并多达16枚芯片，但仍然是单个物理BANK的。要准确知道内存条实际物理BANK数量，我们只要将单个芯片的逻辑BANK数量和位宽以及内存条上芯片个数搞清楚。各个芯片位宽之和为64就是单物理BANK，如果是128就是双物理BANK。

CPU工作时与BANK的关系

CPU工作时，每次只访问一个物理BANK，这是因为一个物理BANK的位宽是64Bit。CPU访问的数据是存放在内存条的内存颗粒上的，现在的芯片组设计时都是要求内存条上每个芯片均承担提供数据的任务，即内存条上的每个颗粒都要负担这64bit数据的一部分。

这就要牵扯到我们上文所说得位宽的问题了，如果内存芯片的位宽是8位，那么用这个芯片组成内存条只需要8颗芯片即完成了64位数据并发任务，如果是4位，那么就需要16颗芯片才能达到64bit的要求。当内存条颗粒设计为位宽为8位，16颗内存颗粒的时候，内存条的位宽就变为6 x 16=128bit。所以就要设计为双BANK。这是由于CPU一次只能处理64bit的数据所造成的。

以后随着技术的进步，128bit,256bit都是可以实现的。以上就是所谓的逻辑BANK和物理BANK。 虽然这些区别不是很大，但是却往往造成不小的问题。事实上很多类似的大容量内存不能被一些旧型号主板支持，主要原因就是芯片组对内存芯片的逻辑BANK数据深度有一定限制。我们知道芯片的容量主要由三个参数决定，首先是逻辑BANK的单元格数（数据深度），其次是逻辑BANK的位数。最后是逻辑BANK的个数。三者相乘得到芯片的容量。

单、双面内存孰好孰坏 ，其实说了半天，也不是说单面内存就一定比双面内存好，或者一定要在两者之间区分伯仲。单、双面内存它们的本身没有好坏，区别也很小，只不过看哪种封装被主板芯片组支持的更好罢了。不可否认的一点是，同等容量的内存，单面比双面的集成度要高，生产日期要靠后，所以工作起来就更稳定。

但是升级内存的用户请注意，一定要尽量保证升级前后，内存单、双面的统一性，这样可以最大程度的保证你系统的稳定。同时，对于广大想要对老主板升级的用户来说，分清楚自己主板所支持的范围是最重要的，当然喽，有些问题我们也可以通过升级新的主板bios达到支持的目的，但是这样做的可操作性就不是很强了，要因人而异，因板而异了。

内存为何有“两面性”？ 在市场中销售的DDR、DDR2内存，在相同容量的情况下又分为单面和双面两种。那么这些所谓的单双面内存之间到底有什么区别呢？从外观上来看，单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在两面。不过以前有不少朋友都认为，内存的物理Bank是由面数决定的：即单面内存条则包含一个物理Bank，双面内存则包含两个。其实这个看法是错误的！

什么是内存的物理Bank

传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。而CPU在一个传输周期能接受的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit（位）。当时控制内存与CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，而这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank）的位宽。所以内存必须要组织成物理Bank来与CPU打交道。

辨别内存的物理Bank数

我们要知道内存的物理Bank，必须知道单个芯片的位宽（通常是8bit），乘以芯片的数量就可以得出内存总位宽，并以此能判断内存的物理Bank数量。比如8颗8bit的内存芯片组成的内存模组，就是单物理Bank，如果是16颗8bit芯片，就是双物理Bank。也就是说，如果内存总位宽为64bit，它就是单物理Bank，如果总位宽为128bit，那就是双物理Bank。

就目前市场而言，对于单物理Bank 或双物理Bank其实可以简单地理解为：256MB的内存不管是双面还是单面都是单物理Bank的，双面的512MB内存则是双物理Bank的，而单面的512MB则为单物理Bank。

单内存芯片容量限制——内存“双面性”原因所在

我们知道如果要增加内存的容量，通常有两种方法：第一种就是通过增加每一个独立模块的容量来增加Bank的容量，第二种方法就是增加芯片数目。

在256MB开始成为主流时，单个内存芯片的容量有16MB和32MB两种，虽然容量不同，但大小规格并没有发生改变，所以在内存PCB板上最多只能布置16个内存颗粒。随着256MB内存的普及，出于成本上考虑和制造工艺上考虑，16MB的内存芯片就逐步退出市场，现在双面的256MB（16MB×8×2）规格的内存就很少见了，可能在二手市场上还可能看到它的身影。

随着其他硬件设备的发展，系统对内存容量提出了更高的要求，于是出现了单内存芯片的容量由32MB向64MB方向过度的局面，所以现在市场上还是存在大量的256MB（32MB×8）规格和512MB（32MB×8×2）规格的内存。同时随着512MB内存的逐步占据主流内存市场，64MB单内存芯片肯定大量投产，单面512MB内存肯定会逐渐增多，可以说这是内存发展的一个必然趋势。

选双面还是选单面，已经不是一个问题

虽说同容量的内存有单、双面之分，但对于普通用户而言，它们在性能上并无太大的差别，所以，在选择的时候还得需要根据自己主板的芯片组特性来决定。不同的芯片组所支持的Bank数是不同的，如果采用不附合规格的内存往往会造成系统不稳定、内存降频、容量减半的情况。比如旧的i845芯片组仅支持4个Bank，现在很多大容量内存都是双Bank的，这意味着在Intel 82845芯片组上我们最多只能使用两条这样的内存，否则芯片组将无法识别。不过，对于一些较新的芯片组，已没必要过多地考虑这一顾虑了。

小资料：内存芯片和内存颗粒

很多时候，常听人们说到“内存颗粒”，其实这是港台地区对内存芯片的一种称呼（仅对内存），其他的芯片，港台则称为“晶片”，两者的意思是一样的，至于大家怎么称呼，看个人习惯了。

你是说单通道双通道吧
DDR2与DDR的区别
与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。
DDR2与DDR的区别示意图
与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。
然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。
DDR2的定义：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR2与DDR的区别：
在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。
1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400
、封装和发热量：
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决

一般来说单面内存为八颗粒芯片组成，双面为十六颗粒！！从速度上说单面要比双面的读取速度快！！！这是一个很简单的技术指标，用不着那么复杂的讲解！！！