iphone x 购买渠道:我的电脑是P4(r)2.40GHz。主板七彩虹865PE。新配了个三星金条512DDR400的。

确认一下是这种 ？七彩虹865PE也有好多种。
主板型号为C.M865PE-L Ver2.0，虽然采用了M-ATX板型设计，但整体功能却并没有缩水。主芯片组采用了Intel865PE+ICH5的搭配方式，支持800MHz/533MHz/400MHz的前端总线，支持Intel socket478结构Northwood核心，Prescott核心P4及赛扬4处理器，支持超线程技术，支持SATA硬盘传输模式。内存方面提供了三条DIMM插槽，最大可支持到3GB容量的DDR400内存，并且支持PAT性能加速模式"Memory Acceleration Mode"。
如果与原来的混插，会产生这种情况,内存自动降频。

内存的带宽总量可能是决定一组内存的性能的重要标准之一了。这个是什么意思呢？其实真正理解起来不难，而且还非常容易计算。我们刚才所说的内存带宽总量其实就是在理想状态下这一组内存在一秒内所能传输的最大数据容量。公式也很简单：内存带宽总量(MBytes) = 最大时钟速频率 (MHz) x 总线宽度 (bits) x 每时钟数据段数量/ 8

好了，我们还是来解释解释吧。“每始终数据段数量”这个是最好理解的了——你只需要记住，如果你的内存是SDR那么这里这个值就等于1，如果您使用的是DDR或者是RDRAM的话，那么这个值就是2。然后我们再将这个值除以8的意义就是将位这个单位换算成为字节。
所以说，对于一般的标准PC2100 DDR内存来说，他的最大时钟频率应该是133MHz，而它的内存总线宽度为64bit，每时钟数据段数为2。所以(133x64x2)/8 = 2128MB/s。一秒种能够传输2128MB，现在你知道为什么叫做PC2100了吧？

再来一个例子。这次就拿PC800的RDRAM来计算吧。最大时钟频率为400MHz，内存总线宽度为16bit，每时钟数据段数为2，那么套用公式了之后就是(400x16x2)/8 = 1600MB/s。

从这里的大家可以看的出来吧，PC2100的DDR内存能够提供高达2.1GB/s 的带宽，而RDRAM内存的带宽只能达到1.6GB/s,但是需要大家注意的是，由于RDRAM是曾对使用，两条内存一共可以3.2GB/s的内存带宽，而新一代的RIMM内存(总线为32位的RDRAM内存) 将会使用两个数据通道进行工作，所以，他们的带宽几一下增加了一倍——这样就成为了3.2GB/s，并且单独一条内存即可使用。

内存时钟

首先要我要理性的给大家说，内存的性能并不单单只是由它传送数据的快慢决定的。内存从接受到请求到对这个请求作出反应也是决定内存的性能一个非常重要的因素。而现在大多数的内存性能都被这个重要的因素所制约着，它就是——持续反应时间（潜伏期）。

由于当前RDRAM的持续反应时间比较高，所以，在很大程度上影响了RDRAM内存的性能，并且RDRAM的价格比较高昂，导致现在很多人已经不在向往RDRAM，而投向了DDR内存的怀抱。

内存设置参数

行地址控制器 (CAS)

行地址控制器（CAS）可能是最能决定内存模块对数据请求进行响应的因素之一了。通常我们把这个叫做CAS延迟，一般来说，在SDR SDRAM中，我们可以设定为2 或者3（当然是根据自己内存的具体情况而定）。对于DDR内存来说，我们一般常用的设定为2 或者2.5。

内存中最基本的存储单元就是柱面，而这些柱面通过行和列的排列组成了一个矩阵。而每个行和列的坐标集就代表了一个唯一的地址。所以内存在存取数据的时候是根据行和列的地址集来进行数据搜索的。

寻址到可用（Trp）/CAS到RAS (CMD)

相对而言，Trp以及CMD时间并没有CAS时间那么重要，但是也是足以影响内存的性能的了。一般这个地方设置的值为3 (时钟循环)，如果把这个这个值改小为2，就可以提升一点内存性能。

列地址控制器(RAS) /其他延迟

内存本身就是一个非常复杂的零部件，可以这么说，计算机内部工作过程最复杂的就是存储器了。但是幸好这些烦琐的工作对于我们这些最终用户来说是透明的，而我们平时用来判断内存性能、质量好坏的这些参数也只是其中的一些部分而已。有两个是不得不提到的，那就是RAS延迟和另外两个延迟。RAS 通常为6个始终循环，但是实际上在超频中可以将它修改为5。

Command rate（指令比率）是另外一个比较普遍的延迟。允许进行的设置为1T或者是2T，而通常2T是默认的设置，1T就要比2T稍微快一点点。另外一个需要注意的地方就是Row Cycle Time (Trc，列循环时间)，这个参数一般为3或者2。

其他一些和内存紧密相关的参数：

Bank 激活时间
Bank 循环时间
已装载数据到充电前时间
已装载数据到激活时间
Bank到Bank延迟

大多数的这些参数都是在内存出厂的时候由厂商根据内存的型号种类设定好了的，比如说PC2100 DDR, PC800 RAMBUS, PC133 SDR等等，他们不同的内存会给他们设置不同的参数。而我们不能够自己随意的改动它。

校验内存和缓冲内存和以上我们介绍的内存又有不一样的地方。为了同步内存的时钟频率（这在一些特殊的情况下要求特别严格），数据在输出前是要首先被放到一个叫做“校验区”的存储模块中，这样很多人都把这种内存叫做“校验内存”。这样就可以保证所有从内存中读出的数据都是“同步”的，这样就可以避免很多的数据读写错误了。这样的一个校验过程将会消耗掉一个时钟循环，所以理论上CAS 2的校验内存将会和CAS 3的非缓冲内存性能相当——不要嫌弃，这一切都是为了数据的稳定。

也许有一些朋友会注意到，当他们把内存设置到CAS 2工作模式下的时候，反而系统的性能还没有默认的CAS 2.5/3好了，这是什么原因呢？我的理解是这样的：内存根本就不能稳定的工作在那种模式下，而用户强行的将内存设置为那种工作模式，这样的话就会在存取数据的时候不时的造成数据“丢失”，这样数据不能取得，当然就只能重新读取，这样就浪费掉了很多的时间，当然系统效率就变低了哦。举个例子方便理解吧。内存试着去搜索所有的行和列，但是如果它在这个时钟循环中并没有能够完成这次数据读取，那么就只有等待下一个循环，本来用一个时钟循环就能够解决的问题而现在需要用两个时钟循环甚至三个去完成，这就明显的降低了系统效率。这个时候，越是高的频率越容易导致错误。

内存交错模式
由于在这些延迟的时间间隔内，内存是不能进行读写工作的，所以这个等待时间也造成了内存暂时工作停止。为了避免这种情况发生，内存就可以使用交错模式，但是一般来说，内存默认这项功能是关闭的。如果要提高性能的话，那么就把这个模式设置为2-way甚至4way。

我们再来复习一遍内存的循环过程“CAS -> CMD -> RAS -> 输出数据”。想像一下，如果你的一半内存正在进行行寻址（CAS阶段），而另外一半的内存已经完成了列的寻址（RAS阶段）。如果是这种情况的话，那么一个输出过程就将会执行两个时钟周期才能完成。大家仔细想想也就知道了，内存交错模式并不能使你的显存的存取速度增倍，但是实际上它利用了显存的等待时间，从而提高了显存的工作效率。

最开始的时候交错模式是应用在独立的两根内存条上的，但是现在已经改变了这种情况，现在单独的一根内存条也可以采用交错模式进行工作。在现在的内存（SDR/DDR SDRAM这些）中，你可以在只有一根内存的情况下就使用2路或者4路交错模式。实际上，交错模式并不是内存条和内存条之间进行的一种“交错”，而是内存的bank和bank之间进行的一种提高效率的工作方式。现在绝大多数的内存都被设计为了4个bank，所以，实际上你可以在2-way和4-way之间做一个选择。