尘埃3怎么漂移按键:电脑内存条DDR和SDR有什么不同?我用CPU_Z看了下我家的内存!

1.首先回答一下DDR和SDR的区别。
传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输，而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量，这也是DDR的意义——Double Data Rate，双倍数据速率。举例来说，DDR266标准的DDR SDRAM能提供2.1GB/s的内存带宽，而传统的PC133 SDRAM却只能提供1.06GB/s的内存带宽。

一般的内存条会注明CL值，此数值越低表明内存的数据读取周期越短，性能也就越好，DDR SDRAM的CL常见值一般为2和2.5两种。

DDR
DDR是双倍数据速率(Double Data Rate)。DDR与普通同步动态随机存储器（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（现在被称为SDR）与标准DRAM有所不同。

标准的DRAM接收的地址命令由二个地址字组成。为接省输入管脚，采用了多路传输的方案。第一地址字由原始地址选通（RAS）锁存在DRAM芯片。紧随RAS命令之后，列地址选通（CAS）锁存第二地址字。经过RAS和CAS，存储的数据可以被读取。

同步动态随机存储器（SDR DRAM)由一个标准DRAM和时钟组成，RAS、CAS、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示，可以预测数据和剩余指令的位置。因而，数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性，所以可将存储器划分成4个区进行内部单元的预充电和预获取。通过脉冲串模式，可进行连续地址获取而不必重复RAS选通。连续CAS选通可对来自相同源的数据进行再现。

DDR存储器与SDR存储器工作原理基本相同，只不过DDR在时钟脉冲的上升和下降沿均读取数据。新一代DDR存储器的工作频率和数据速率分别为200MHz和266MHz，与此对应的时钟频率为100MHz和133MHz。

SDR
DRAM是动态存储器(Dynamic RAM)的缩写SDRAM是英文SynchronousDRAM的缩写，译成中文就是同步动态存储器的意思。从技术角度上讲，同步动态存储器(SDRAM)是在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑(一个状态机)，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上，它类似常规的DRAM，且也需时钟进行刷新。可以说，SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。目前的SDRAM有10ns和8ns。

2.接下来回答什么你的内存bank交错的意思
内存检查显示bank交错4路是你的主板支持Bank交错，内存交错使SDRAM内存各个面的刷新时钟信与读写时钟信号能够交错出现，这可以实现CPU在刷新一个内存面的同时对另一个内存面进行读写，这样就不必花费专门的时间来对各个内存面进行刷新。而且在CPU即将访问的一串内存地址分别位于不同内存面的情况下，内存面交错使CPU能够实现在向后一个内存面发送地址的同时从前一个内存面接收数据，从而产生一种流水线操作的效果，提高了SDRAM内存的带宽。因此，有人甚至认为启用内存交错对于系统性能的提高比将内存CAS延迟时间从3改成2还要大。
??不过，内存交错是一个比较高级的内存设置选项，有一些采用VIA 694X芯片组的主板由于BIOS版本较旧，可能没有该设置项，这时可以升级主板的BIOS。如果在最新版的BIOS中仍未出现该设置项，那就只有通过某些VIA芯片组内存BANK交错开启软件，如WPCREdit和相应的插件(可以从“驱动之家”网站下载)来修改北桥芯片的寄存器，从而打开内存交错模式。

3.2-3-3-6的含义
这个是你的内存时序，标准写法是CL-tRCD-tRP-tRAS，这几个符号的含义分别是：CL（CAS Latency）：“内存读写操作前列地址控制器的时间”，
tRCD（RAS-to-CAS Delay）“行寻址至列寻址延迟时间”，
tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制器预充电时间”
tRAS(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期”。

最后如果你要买一条一样的内存只要记着购买相同品牌，相同频率也就是DDR400还是DDR333，一般来说没有太大问题。

DDR是Double Data Rate SDRAM的缩写（双倍数据速率）它具有两倍同频率SDR的速率，DDR2则是4倍。
内存交错技术是为了尽可能避免跨bank的数据传输而产生的一种技术，它可以允许在一个bank工作时就对其他bank进行预充电，这样在当前bank的工作完成以后就可以直接对下一个bank进行操作，而不需要再等待预充电过程的几个时钟周期，这样就节约了时间，提高了效率。目前主流的内存芯片大多都是4个逻辑Bank，所以可以直接设置成4-Bank的交错模式，也就是四路交错，此外还有两路交错。

配内存尽量找芯片一样的，估计你机子上的是条DDR266
随便买一条DDR400就行，它自己就降频了。

不懂，最简单地办法就是开机，一个缺口的就是DDR两个缺口的就是SDR

你的内存是SD PC133的，买内存时说一下就行，这样的内存只有旧的，新的不好买了，早过时了，现地的DDR内存是SD的两倍性能。

我的意见是直接买跟512的，价钱上多了200左右性能上就不只了 虽然我门从理论上说2个256的和1个512的是相同的但实际使用上面512的绝对比两根256的好，而且为以后着想，不知道你的2根256的能用多久呢到时要用1G怎么办的那也就是说你现在的256的白买了，我们总不能插根256的再插根512的吧能这样你就牛了

不错哦，终于有学到了一些常识，真要谢各位的帮助哦，感谢你们！